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宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室第一届学术委员会第二次会议在55所召开

www.p-e-china.com 2017/12/1 10:15:41 来源:中国电科55所 电力电子论坛|免费发布产品

  11月26日上午,宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室第一届学术委员会第二次会议在五十五所召开,委员会听取了重点实验室2017年度工作报告,对实验室建设取得的进展给予一致认可,并对实验室的建设发展进行了指导。

 

  自批复建设以来,宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室坚持面向新能源、智能电网等战略新兴产业对能源高效转换核心电力电子器件的迫切需求,开展应用基础和前沿共性技术研究,不断提升创新能力,加强成果转化。

  目前,实验室建立了先进、集中的宽禁带半导体电力电子器件技术开发能力,在大尺寸SiC外延材料、高压SiC及GaN电力电子器件、高压大功率SiC模块等关键技术方面获得了多项高水平研究成果,其中10kV SiC JBS二级管、6.5kV SiC mosFET、12kV SiC IGBT等成果达到国内领先、国际先进水平。在进行应用基础研究的同时,高度重视研究成果的推广应用,实现了SiC肖特基二极管及SiC混合模块等多项产品技术的成果转化。

 

  会上,电子科技大学教授张波、重点实验室博士黄润华、国扬公司副总经理徐文辉分别作了《从硅基功率半导体的发展历史看宽禁带电力电子器件的发展》《SiC功率MOSFET器件研制进展》《杂散电感与SiC功率模块》学术报告。与会人员围绕宽禁带半导体电力电子器件的发展趋势、存在的问题和研究热点等进行了深入研讨,交流思想观点,提出了许多可借鉴的有益思路,为实验室下一步的技术发展明确了方向。

  西安电子科技大学郝跃院士、电子科技大学张波教授、集团公司首席科学家陈堂胜等专家学者,五十五所副所长吴礼群、所长助理陈辰、实验室主任柏松以及技术骨干代表参加了本次会议。

 

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